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东芝在美起诉现代半导体侵犯三项闪存专利
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2010年08月10日共有 736 次访问【添加到收藏夹】【我要附加题目】

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近日，东芝在美国对韩国现代半导体提出起诉，指控现代半导体侵犯了东芝关于闪存的三项技术专利。东芝根据美国1930年关税法第337项条款的规定向美国国际贸易委员会提出了投诉，要求禁止在美国进口和销售韩国现代半导体的闪存产品。这个争议的专利是东芝关于NAND闪存芯片集成电路技术的芯片。这是东芝在闪存市场竞争日益激烈的情况下采取的行动。目前。越来越多的像现代半导体那样的公司进入闪存市场，以便抓住市场对闪存产品日益增长的需求的机会。东芝称，韩国现代半导体侵犯了它在1992年至1996年期间在美国获得的技术专利，并且在没有得到东芝的批准的情况下利用这些专利生产闪存芯片。东芝和现代半导体以前曾经有一个交叉许可证授权协议。但是，东芝坚持称，现代半导体从来没有根据这个协议获得过制造、使用或者销售闪存设备的专利技术。这个交叉许可证授权协议已经在2002年12月过期了。东芝2004年12月还向日本东京地区法院和美国得克萨斯州北部地区的美国地区法院提出了起诉，指控现代半导体侵犯了闪存技术专利。1

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